高熱伝導率DPAK (TO-252AA) SiCダイオード

簡単な説明:

包装構造: DPAK (TO-252AA)

はじめに: YUNYI DPAK (TO-252AA) SiC ダイオードは炭化ケイ素材料で作られており、熱伝導率が高く、熱を伝達する能力が高く、パワーデバイスの出力密度の向上に役立つため、次の用途に適しています。高温環境での作業。 SiC ダイオードの高い破壊電界強度は耐電圧を高め、サイズを縮小します。また、高い電子破壊電界強度は半導体パワーデバイスの破壊電圧を高めます。同時に、電子破壊電界強度の増加により、不純物侵入密度が増加する場合、SiCダイオードパワーデバイスのドリフト領域の広帯域が減少するため、パワーデバイスのサイズが小さくなります。減らすことができます。

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YUNYI の DPAK (TO-252AA) SiC ダイオードのメリット:

1. 競争力のあるコストと高レベルの品質

2. 短いリードタイムで高い生産効率を実現

3. 小型サイズで基板スペースの最適化に貢献

4. さまざまな自然環境下でも安定・信頼性が高い

5. 自社開発の低損失チップ

チップ製造手順：

1. メカニカルプリンティング（超高精度自動ウエハプリンティング）

2. 自動ファーストエッチング（自動エッチング装置、CPK>1.67）

3. 自動極性検査（正確な極性検査）

4. 自動組立（自社開発の自動精密組立）

5. はんだ付け（窒素・水素混合保護真空はんだ付け）

6. 自動セカンドエッチング（超純水による自動セカンドエッチング）

7. 自動糊付け（自動精密糊付け装置により均一な糊付けと正確な計算を実現）

8. 自動温度試験（温度試験機による自動選択）

9. 自動テスト（多機能テスター）

製品のパラメータ:

部品番号	パッケージ	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRD5650	DPAK	650	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650	6	70	3 (通常 0.03)	1.7(通常1.5)
ZICRD10650CT	DPAK	650	10	60	60	1.7
ZICRD10650	DPAK	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRD12600	DPAK	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650	3	46	2(通常0.03)	1.7(標準1.4)
Z3D10065E	DPAK	650	10	115	40(通常0.7)	1.7(通常1.45)
Z4D04120E	DPAK	1200	4	46	200(通常20)	1.8(通常1.5)
Z4D05120E	DPAK	1200	5	46	200(通常20)	1.8(通常1.65)
Z4D02120E	DPAK	1200	2	44	50(通常10)	1.8(通常1.5)
Z4D10120E	DPAK	1200	10	105	200(通常30)	1.8(通常1.5)
Z4D08120E	DPAK	1200	8	64	200(通常35)	1.8(通常1.6)
Z3D10065E2	DPAK	650	10	70(片足あたり)	8(0.002 標準)(脚あたり)	1.7 (通常 1.5) (脚あたり)