信頼性の高い自社設計 D2PAK (TO-263) SiC ダイオード

簡単な説明:

包装構造: D2PAK (TO-263)

概要: YUNYI D2PAK (TO-263) SiC ダイオードは炭化ケイ素材料で作られており、高い熱伝導率を備えており、電力密度を効果的に向上させることができます。 SiC ダイオードの高い破壊電界強度は耐電圧を高め、サイズを縮小します。また、高い電子破壊電界強度は半導体パワーデバイスの破壊電圧を高めます。同時に、電子破壊電界強度の増加により、不純物侵入密度が増加する場合、SiCダイオードパワーデバイスのドリフト領域の広帯域が減少するため、パワーデバイスのサイズが小さくなります。減らすことができます。

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YUNYI の D2PAK (TO-263) SiC ダイオードの利点:

1. 低インダクタンス

2. 競争力のあるコストと高レベルの品質。

3. 短いリードタイムで高い生産効率を実現。

4. 小型サイズで、回路基板スペースの最適化に役立ちます

チップ製造の手順:

1. メカニカルプリンティング（超高精度自動ウエハプリンティング）

2. 自動ファーストエッチング（自動エッチング装置、CPK>1.67）

3. 自動極性検査（正確な極性検査）

4. 自動組立（自社開発の自動精密組立）

5. はんだ付け（窒素・水素混合保護真空はんだ付け）

6. 自動セカンドエッチング（超純水による自動セカンドエッチング）

7. 自動糊付け（自動精密糊付け装置により均一な糊付けと正確な計算を実現）

8. 自動温度試験（温度試験機による自動選択）

9. 自動テスト(多機能テスター)

製品のパラメータ:

部品番号	パッケージ	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRB5650	D2PAK	650	5	60	60	2
ZICRB6650	D2PAK	650	6	60	50	2
Z3D06065G	D2PAK	650	6	70	3 (通常 0.03)	1.7(通常1.5)
ZICRB10650CT	D2PAK	650	10	60	60	1.7
ZICRB10650	D2PAK	650	10	110	100	1.7
Z3D10065G	D2PAK	650	10	115	40(通常0.7)	1.7(通常1.45)
ZICRB20650A	D2PAK	650	20	70	100	1.7
ZICRB101200	D2PAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRB12600	D2PAK	600	12	50	150	1.7
ZICRB12650	D2PAK	650	12	50	150	1.7
Z3D30065G	D2PAK	650	30	255	140(通常4)	1.7(標準1.4)
Z4D05120G	D2PAK	1200	5	19	200(通常20)	1.8(通常1.65)
Z4D20120G	D2PAK	1200	20	162	200(通常35)	1.8(通常1.5)
Z3D20065G	D2PAK	650	20	170	50 (通常 1.5)	1.7(通常1.45)
Z3D06065L	DFN8×8	650.0	6.0	70.0	3 (通常 0.03)	1.7(通常1.5)