高信頼性、自社設計のD2PAK（TO-263）SiCダイオード

簡単な説明:

パッケージ構造：D2PAK（TO-263）

はじめに：YUNYI D2PAK（TO-263）SiCダイオードは、シリコンカーバイド材料で作られており、高い熱伝導率を有し、電力密度を効果的に向上させることができます。SiCダイオードの高い破壊電界強度は、耐電圧を向上させ、サイズを縮小します。また、高い電子破壊電界強度は、半導体パワーデバイスの破壊電圧を向上させます。同時に、電子破壊電界強度の増加により、不純物浸透密度を増加させる場合、SiCダイオードパワーデバイスのドリフト領域の広帯域化が可能になり、パワーデバイスのサイズを縮小できます。

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YUNYIのD2PAK（TO-263）SiCダイオードの利点：

1. 低インダクタンス

2. 高品質でありながら競争力のあるコスト。

3. 短いリードタイムで高い生産効率。

4. 小型で回路基板スペースの最適化に貢献

チップ製造の手順:

1. 機械印刷（超精密自動ウエハ印刷）

2. 自動一次エッチング（自動エッチング装置、CPK>1.67）

3. 自動極性テスト（精密極性テスト）

4. 自動組立（自社開発の自動精密組立）

5. はんだ付け（窒素と水素の混合真空はんだによる保護）

6. 自動セカンドエッチング（超純水による自動セカンドエッチング）

7. 自動接着（自動精密接着装置により均一な接着と正確な計算を実現）

8. 自動熱試験（熱試験装置による自動選択）

9. 自動テスト（多機能テスター）

製品のパラメータ:

部品番号	パッケージ	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRB5650	D2PAK	650	5	60	60	2
ZICRB6650	D2PAK	650	6	60	50	2
Z3D06065G	D2PAK	650	6	70	3（典型値0.03）	1.7（通常1.5）
ZICRB10650CT	D2PAK	650	10	60	60	1.7
ZICRB10650	D2PAK	650	10	110	100	1.7
Z3D10065G	D2PAK	650	10	115	40（通常0.7）	1.7（標準1.45）
ZICRB20650A	D2PAK	650	20	70	100	1.7
ZICRB101200	D2PAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRB12600	D2PAK	600	12	50	150	1.7
ZICRB12650	D2PAK	650	12	50	150	1.7
Z3D30065G	D2PAK	650	30	255	140（標準4）	1.7（通常1.4）
Z4D05120G	D2PAK	1200	5	19	200（標準20）	1.8（標準1.65）
Z4D20120G	D2PAK	1200	20	162	200（標準35）	1.8（通常1.5）
Z3D20065G	D2PAK	650	20	170	50（通常1.5）	1.7（標準1.45）
Z3D06065L	DFN8×8	650.0	6.0	70.0	3（典型値0.03）	1.7（通常1.5）