高熱伝導性DPAK（TO-252AA）SiCダイオード

簡単な説明:

パッケージ構造: DPAK (TO-252AA)

はじめに：YUNYI DPAK（TO-252AA）SiCダイオードは、シリコンカーバイド材料で作られており、高い熱伝導率と強力な熱伝達能力を備えており、パワーデバイスの電力密度の向上に寄与するため、高温環境での動作に適しています。SiCダイオードの高いブレークダウン電界強度は、耐電圧を高め、サイズを縮小します。また、高い電子ブレークダウン電界強度は、半導体パワーデバイスのブレークダウン電圧を高めます。同時に、電子ブレークダウン電界強度の増加により、不純物浸透密度を増加させる場合、SiCダイオードパワーデバイスのドリフト領域の広帯域化が可能になり、パワーデバイスのサイズを縮小できます。

メールを送信する

製品詳細

応答時間の監視

測定範囲

製品タグ

YUNYIのDPAK（TO-252AA）SiCダイオードのメリット：

1. 高品質でありながら競争力のあるコスト

2. 短いリードタイムで高い生産効率

3. 小型で回路基板スペースの最適化に貢献

4. 様々な自然環境下でも安定性と信頼性を実現

5. 自社開発の低損失チップ

チップ製造の手順：

1. 機械印刷（超精密自動ウエハ印刷）

2. 自動一次エッチング（自動エッチング装置、CPK>1.67）

3. 自動極性テスト（精密極性テスト）

4. 自動組立（自社開発の自動精密組立）

5. はんだ付け（窒素と水素の混合真空はんだによる保護）

6. 自動セカンドエッチング（超純水による自動セカンドエッチング）

7. 自動接着（自動精密接着装置により均一な接着と正確な計算を実現）

8. 自動熱試験（熱試験装置による自動選択）

9. 自動テスト（多機能テスター）

製品のパラメータ:

部品番号	パッケージ	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRD5650	DPAK	650	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650	6	70	3（典型値0.03）	1.7（通常1.5）
ZICRD10650CT	DPAK	650	10	60	60	1.7
ZICRD10650	DPAK	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRD12600	DPAK	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650	3	46	2（通常0.03）	1.7（通常1.4）
Z3D10065E	DPAK	650	10	115	40（通常0.7）	1.7（標準1.45）
Z4D04120E	DPAK	1200	4	46	200（標準20）	1.8（通常1.5）
Z4D05120E	DPAK	1200	5	46	200（標準20）	1.8（標準1.65）
Z4D02120E	DPAK	1200	2	44	50（通常10）	1.8（通常1.5）
Z4D10120E	DPAK	1200	10	105	200（通常30）	1.8（通常1.5）
Z4D08120E	DPAK	1200	8	64	200（標準35）	1.8（通常1.6）
Z3D10065E2	DPAK	650	10	70（片足あたり）	8（通常0.002）（脚あたり）	1.7（標準1.5）（1脚あたり）